[发明专利]等离子体处理设备和使用其制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201810722273.5 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109427529B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 洪定杓;宣钟宇;成正模 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;赵南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种等离子体处理设备和制造半导体器件的方法。所述等离子体处理设备包括：处理室，其具有内部空间；静电卡盘，其在处理室中并且衬底被安装在其上；气体注入单元，其在处理室的一侧将处理气体注入到处理室中；等离子体施加单元，其将注入到处理室的处理气体转变为等离子体；以及等离子体调节单元，其设置在静电卡盘周围并且可操作以调节衬底上的等离子体的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 设备 使用 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理设备，包括：处理室，其具有发生等离子体处理的内部；衬底支承，其设置在所述处理室中，所述衬底支承包括静电卡盘，所述静电卡盘具有专用于支承将进行等离子体处理的衬底的支承表面；气体注入器，其向所述处理室的内部打开，以将处理气体注入到所述处理室中；等离子体发生器，其将注入所述处理室的处理气体转变成等离子体；以及等离子体调节单元，其包括主体和辅助电源，所述主体包括在与所述静电卡盘的支承表面相同的水平面处设置在所述支承表面的径向外侧的铁磁材料，并且所述辅助电源电耦接到所述主体。
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