[发明专利]半导体装置中的肖特基位障的控制方法在审
| 申请号： | 201810722326.3 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109216190A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 郑鸿祥;潘正圣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;郑鸿祥 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/338;H01L21/28;H01L29/47 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体装置中的肖特基位障的控制方法包括：形成合金层于半导体基板的第一表面上，且合金层至少包括第一元素与第二元素。半导体基板为第一元素为主的半导体基板，且第一元素与第二元素为IV族元素。对合金层与第一元素为主的半导体基板进行第一热退火。第一热退火使合金层中的第二元素朝合金层的表面迁移。在第一热退火之后，形成肖特基接点层于合金层上。 | ||
| 搜索关键词： | 合金层 半导体基板 热退火 肖特基 半导体装置 位障 表面迁移 第一表面 接点层 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置中的肖特基位障的控制方法，包括：形成一合金层于一半导体基板的一表面上，且该合金层至少包括一第一元素与一第二元素；其中该半导体基板为一第一元素为主的半导体基板，且该第一元素与该第二元素为IV族元素；对该合金层与该第一元素为主的半导体基板进行一第一热退火，其中该第一热退火使该合金层中的该第二元素朝该合金层的一表面迁移；以及在该第一热退火之后，形成一肖特基接点层于该合金层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
