[发明专利]使用低温过程的高温半导体器件封装和结构的方法及装置有效
申请号: | 201810722489.1 | 申请日: | 2014-10-31 |
公开(公告)号: | CN108807194B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 拉克希米纳拉扬.维斯瓦纳坦 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/057;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/367 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 潘军 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种使用低温过程的高温半导体器件封装和结构的方法及装置。提供了包含陶瓷、有机和金属材料的组合的半导体器件封装,其中这些材料通过使用银而耦合。在压力和低温下,银以细颗粒的形式被应用。应用之后,银形成了具有银的典型熔点的固体,因此,成品封装能承受比制造温度显著高的温度。此外,因为银是各种组合材料之间的接口材料,由于接合的低温度和银的延展性,陶瓷、有机和金属组件之间的不同材料特性的效果例如热膨胀系数被降低。 | ||
搜索关键词: | 使用 低温 过程 高温 半导体器件 封装 结构 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件封装,包括:所述半导体器件封装的第一材料部分,其中第一材料包括陶瓷或有机材料中的一个;所述半导体器件封装的第二材料部分,其中第二材料包括金属材料;以及被放置为耦合所述半导体器件封装的所述第一和第二材料部分的烧结银区域;其中:所述第一材料部分包括印刷电路板,以及所述烧结银区域被放置在形成于所述印刷电路板内的孔内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造