[发明专利]金属纳米线和多孔氮化物复合材料半导体及其制备方法有效
| 申请号： | 201810722928.9 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN108987500B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 赵丽霞;李婧;杨超;于治国;席鑫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种金属纳米线和多孔氮化物复合材料半导体，包括：衬底；缓冲层，位于衬底之上；复合材料层，位于所述缓冲层之上，包括横向多孔氮化物模板层，以及填充于其多孔中的金属纳米线，上述复合材料半导体的制备方法包括：步骤1：在衬底上生长制备缓冲层和n型氮化物外延层；步骤2：将步骤1所制备的n型氮化物外延层制成横向多孔氮化物模板层；步骤3：在步骤2所制备的横向多孔氮化物模板层的孔中制备金属纳米线，得到复合材料层，制成金属纳米线和多孔氮化物复合材料半导体，以缓解现有技术中半导体材料在光电化学反应过程中易被腐蚀，利用局域表面等离子体增强效应提高半导体内部材料的光电特性时制备工艺复杂，易损伤体材料等技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 纳米 多孔 氮化物 复合材料 半导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属纳米线和多孔氮化物复合材料半导体，包括：衬底(10)；缓冲层(20)，位于衬底之上；复合材料层(30)，位于所述缓冲层之上，包括横向多孔氮化物模板层(31)以及填充于其多孔中的金属纳米线(32)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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