[发明专利]利用臭氧实现碱性体系对硅片刻蚀抛光的方法及设备

摘要

本发明公开了一种利用臭氧实现碱性体系对硅片刻蚀抛光的方法及设备，该方法包括：步骤1、使用臭氧溶液对硅片进行表面处理；2、使用去离子水对硅片进行清洗；3、使用碱液对硅片的下表面及侧面边缘进行刻蚀抛光；4、清洗硅片去除表面污染物；5、使用酸液对硅片进行酸洗；6、清洗硅片去除残留药液；7、烘干硅片。该设备包括槽式设备、链式设备和搬送设备。本发明利用臭氧实现碱性体系对硅片的刻蚀抛光，安全环保、成本低且品质好。

主权项

1.一种利用臭氧实现碱性体系对硅片刻蚀抛光的方法，所述硅片的上表面覆盖有PSG层，所述硅片的下表面及侧面边缘已去除PSG层，其特征在于包括：步骤1、将硅片放入第一臭氧清洗槽，硅片浸泡在第一臭氧清洗槽内含有臭氧的混合溶液中清洗；步骤2、将硅片放入第一水槽，硅片浸泡在第一水槽内的去离子水中清洗；步骤3、将硅片放入刻蚀抛光槽，硅片浸泡在刻蚀抛光槽内的碱液中，对硅片下表面及侧面边缘进行刻蚀抛光；步骤4、将硅片放入清洗槽组中清洗；步骤5、将硅片放入酸洗槽，硅片浸泡在酸洗槽内的酸液中酸洗；步骤6、将硅片放入水洗槽中清洗；步骤7、将硅片放入烘干槽组中干燥。