[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201810725247.8 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109273448B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 辛承俊;朴玄睦;申重植 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/27;H10B43/30;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括：栅电极，沿着垂直于衬底的上表面的方向堆叠，栅电极在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸到不同的长度，每个栅电极包括在垂直于第一方向且与所述衬底的上表面平行的第二方向上彼此隔开的子栅电极以及将其中的子栅电极彼此连接的至少一个栅极连接部；通道，垂直于衬底的上表面延伸穿过栅电极；以及虚设通道，垂直于衬底的上表面延伸穿过栅电极，虚设通道包括以行和列布置的第一虚设通道以及在包括栅极连接部的区域中布置在第一虚设通道之间的第二虚设通道。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：栅电极，所述栅电极沿着垂直于衬底的上表面的方向堆叠，所述栅电极在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸到不同的长度，每个栅电极包括：子栅电极，所述子栅电极在垂直于所述第一方向且与所述衬底的上表面平行的第二方向上彼此隔开；以及至少一个栅极连接部，所述至少一个栅极连接部将所述栅电极的所述子栅电极彼此连接；通道，所述通道垂直于所述衬底的上表面延伸穿过所述栅电极；和虚设通道，所述虚设通道垂直于所述衬底的上表面延伸穿过所述栅电极，所述虚设通道包括以行和列布置的第一虚设通道以及在包括所述栅极连接部的区域中布置在所述第一虚设通道之间的第二虚设通道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810725247.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制造方法
- 下一篇：存储器及其制造方法
