[发明专利]带有电荷平衡结构的沟槽栅场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种带有电荷平衡结构的沟槽栅场效应晶体管及其制造方法，属于半导体技术领域。采用了本发明的制造方法，在N‑EPI内埋下一层N‑埋区和P‑埋区，N‑埋区主要用于降低通路电阻，P‑埋区用于辅助N‑埋区在关断状态下的耗尽，从而形成电荷平衡结构，进而将纵向器件的漏极通过N‑埋层和N‑沟槽引出至器件上表面，形成平面器件，可以更好地集成于电路中。且本发明的带有电荷平衡结构的沟槽栅场效应晶体管的生产工艺简便，成本相对低廉，应用范围也相当广泛。

主权项

1.带有电荷平衡结构的沟槽栅场效应晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)在P‑衬底上注入磷，形成N‑埋层；(2)在所述的N‑埋层上生长N‑外延层；(3)在器件顶部之上定义有源区，并在器件内设置隔离区；(4)形成自器件顶部至所述N‑埋层的N‑沟槽，引出所述N‑埋层，作为漏极；(5)在器件顶部形成沟槽栅，作为栅极；(6)形成位于所述N‑外延层中的P‑埋区和N‑埋区；(7)在相邻两个所述沟槽栅之间进行P‑体区注入并退火，形成HVPB区域；(8)在所述的HVPB区域内沿所述的沟槽栅进行N+注入，并利用后段工艺，形成源极。