[发明专利]一种背照式CMOS感光器件单片化方法

摘要

本发明提供了一种背照式CMOS感光器件单片化方法，能够解决在进行晶圆背面研磨时，由于切割道的存在产生应力不均，导致器件的损坏，减少研磨时产生的碎屑会进入到器件中，减少在进行器件测试过程中产生测试的错误对器件质量的误判。提高对于背照式CMOS感光器件而言钝化层的平整和厚度控制优化工艺提供工艺简单提高钝化层光学质量。

主权项

1.一种背照式CMOS感光器件单片化方法，其特征在于，所述单片化方法，包括：步骤1）在半导体基板为主体的晶圆上形成多个背照式CMOS感光器件，所述晶圆的正面为CMOS感光器件的感光面；步骤2）在多个背照式CMOS感光器件之间形成隔离沟槽，所述隔离沟槽的深度比器件层的高度大，所述隔离沟槽中形成有介质层；步骤3）在晶圆正面形成第一钝化层，所述第一钝化层的材料与隔离沟槽的介质层的材料相同；步骤4）对第一钝化进行化学机械抛光，使晶圆的表面变得平坦；步骤5）在第一钝化层上形成一层第一光刻胶，进行光刻，使隔离沟槽之外的区域被光刻胶覆盖；步骤6）进行各向异性刻蚀，去除沟槽隔离中介质层，形成感光器件的切割道；步骤7）在步骤6）得到的晶圆的表面涂覆一层填充层，所述填充层为负性光刻胶；对切割道处的光刻胶进行曝光，去除切割道外钝化层之上的光刻胶；步骤8）在晶圆正面通过粘合胶带将晶圆固定在固定基板上，对晶圆的背面进行研磨，研磨至切割道从晶圆背面露出；步骤9）把晶圆与固定基板分离，形成单片化的背照式CMOS感光器件。