[发明专利]基于III族氮化物半导体/量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于III族氮化物半导体/量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件，设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的相互隔离的阵列式正方形台面结构，正方形台面上刻蚀形成微米孔；所述正方形台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，每个RGB像素单元的四个微米孔中，一个填充有红光量子点，另一个填充有绿光量子点。并公开其制备方法。本发明的微米孔LED阵列器件，反向漏电流低至10‑10A量级，并通过喷墨打印技术将II‑VI族核壳结构CdSe/ZnS的红光量子点、绿光量子点填充至微米孔内，红光量子点经蓝光Micro‑LED激发发红光，绿光量子点经蓝光Micro‑LED激发发绿光，实现了每个RGB像素单元的三色显示。

主权项

1.一种基于III族氮化物半导体/量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件，其结构自下而上包括：一单面抛光的蓝宝石衬底；一生长在蓝宝石衬底上的GaN缓冲层；一生长在缓冲层上的n型GaN层；一生长在n型GaN层上的InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层；一生长在量子阱有源层上的p型GaN层；所述微米孔LED阵列器件刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构，各正方形台面相互隔离，在每个正方形台面上刻蚀形成深至p型GaN层/量子阱有源层/n型GaN层的微米孔；还包括一p型阵列电极，蒸镀在微米孔阵列的p型GaN层上，一n型电极，蒸镀在n型GaN层上；所述微米孔有四类：一类填充有红光量子点、一类填充有绿光量子点、一类为蓝光LED、一类为备用孔，四类微米孔在正方形台面上规则排列，使得任选2*2的微米孔单元内均含有这四类微米孔。