[发明专利]用于预测半导体装置的特性的设备和方法

摘要

提供了一种用于预测半导体装置的特性的方法和设备，所述方法包括：从已经在批量生产中的第一半导体装置收集多个第一特性的第一数据；以及从在开始批量生产之前作为实验样品而制造的至少一个第二半导体装置收集第一特性的第二数据和多个第二特性的第三数据。然后，基于第一数据、第二数据和第三数据获得协方差矩阵，并且确定要批量生产的第三半导体装置的均值向量。然后，基于协方差矩阵和均值向量生成第三半导体装置的预测数据。

主权项

1.一种用于预测半导体装置的特性的方法，所述方法包括：从已经在批量生产中的多个第一半导体装置收集多个第一特性的多个第一数据；从在开始批量生产之前作为实验样品而制造的至少一个第二半导体装置收集所述多个第一特性的多个第二数据和多个第二特性的多个第三数据；基于所述多个第一数据、所述多个第二数据和所述多个第三数据获得包括第一矩阵块、第二矩阵块、第三矩阵块、第四矩阵块和第五矩阵块的协方差矩阵，所述第一矩阵块表示所述多个第一特性之间的协方差，所述第二矩阵块表示所述多个第一特性与所述多个第二特性之间的协方差和所述多个第二特性之间的协方差，所述第三矩阵块表示所述多个第二特性的多个残差之间的协方差，所述第四矩阵块和所述第五矩阵块中的每个矩阵块都表示零矩阵；获得要批量生产的多个第三半导体装置的均值向量，所述第二半导体装置和所述第三半导体装置是相同类型的半导体装置；以及基于所述协方差矩阵和所述均值向量获得所述多个第三半导体装置的多个预测数据。