[发明专利]记忆装置页可用性管理方法及系统、记忆装置及电子装置有效
| 申请号： | 201810726449.4 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN110489264B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 吴柏纬 | 申请（专利权）人： | 慧荣科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G11C29/42 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用来进行记忆装置的页可用性管理的方法、相关的记忆装置及电子装置以及页可用性管理系统。该方法包括：取得非挥发性内存的一组页错误更正码错误表；基于预定规则，分别依据该组页错误更正码错误表寻找复数个区块中的至少一部分区块的各自的局部风险页，以产生分别对应于多个页索引的多个局部风险页数；依据该多个局部风险页数寻找对应于该多个页索引中的一或多个页索引的一或多个全局风险页；以及将全局风险页表写入该记忆装置中，以供控制该记忆装置跳过使用该复数个区块中的每一者的该一或多个全局风险页。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆 装置 可用性 管理 方法 系统 电子 | ||
【主权项】：
1.一种用来进行记忆装置的页可用性管理的方法，该方法是可应用于耦接至该记忆装置的页可用性管理系统，该记忆装置包括非挥发性内存，该非挥发性内存包括一或多个非挥发性内存组件，该一或多个非挥发性内存组件包括复数个区块，该方法包括：/n取得该非挥发性内存的一组页错误更正码错误表，其中该组页错误更正码错误表分别对应于该复数个区块，以及该组页错误更正码错误表中的每一个页错误更正码错误表包括该复数个区块中的相对应区块的多页的各自的错误更正码错误位数；/n基于预定规则，分别依据该组页错误更正码错误表寻找该复数个区块中的至少一部分区块的各自的局部风险页，以产生分别对应于多个页索引的多个局部风险页数，其中该多个页索引分别对应于该复数个区块中的每一者的各自的页，以及针对该至少一部分区块中的相同区块，存在于该相同区块中的一或多个局部风险页的一或多个错误更正码错误位数大于该相同区块中的其它页的错误更正码错误位数；/n依据该多个局部风险页数寻找对应于该多个页索引中的一或多个页索引的一或多个全局风险页，其中对应于该一或多个页索引的一或多个局部风险页数大于该多个局部风险页数中的其它局部风险页数；以及/n将全局风险页表写入该记忆装置中，以供控制该记忆装置跳过使用该复数个区块中的每一者的该一或多个全局风险页，其中该全局风险页表指出该一或多个全局风险页。/n
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