[发明专利]结合工艺及可靠性框图的滚控电子模块贮存可靠性评估方法

摘要

本发明公开了一种结合工艺及可靠性框图的滚控电子模块贮存可靠性评估方法，所述方法首先通过建立滚控电子模块功能仿真模型，结合厂家调研结果，利用灵敏度分析方法确定影响滚控电子模块输出特性的底层关键元器件；然后，结合失效模式及失效机理分析、输出特性参数初始分布及加速贮存退化试验实测数据，得到具有分布特性的底层关键元器件贮存退化数据；最后，结合失效阈值及所建立的滚控电子模块可靠性框图中，得到滚控电子模块贮存可靠度。本发明解决了小子样问题下滚控电子模块贮存可靠性评估准确度低的问题，为滚控电子模块的贮存可靠性评估提供了一种新的思路。

主权项

1.一种结合工艺及可靠性框图的滚控电子模块贮存可靠性评估方法，其特征在于所述方法步骤如下：步骤一：根据滚控电子模块功能及原理图，在电路仿真软件中建立滚控电子模块功能仿真模型；步骤二：基于步骤一所建立的滚控电子模块功能仿真模型，利用灵敏度分析方法，结合使用厂家调研结果，确定影响滚控电子模块输出特性指标的关键元器件；步骤三：根据步骤二中对使用厂家的调研结果，得到滚控电子模块在实际贮存过程中出现的失效模式，分析与之对应的失效机理，确定基于失效物理的各底层关键元器件贮存退化模型形式；步骤四：针对滚控电子模块各底层关键元器件进行加速贮存退化试验，监测各底层关键元器件输出特性的贮存试验退化数据；步骤五：通过调研滚控电子模块各底层关键元器件的生产厂家及实际跟厂，得到各底层元器件的工艺过程数据，即各底层元器件的输出特性初始分布情况；同时，结合步骤三中得到的各底层关键元器件贮存退化模型及步骤四中各底层关键元器件输出特性的贮存试验退化数据，利用粒子滤波预测方法，得到具有分布特性的各底层关键元器件贮存退化模型；步骤六：根据滚控电子模块结构特点，对步骤五中得到的各底层关键元器件贮存退化模型进行随机抽样，抽选出可构建k个滚控电子模块的k组底层元器件组合，将贮存时间带入，并假设某型号滚控电子模块由n个底层关键元器件组成，得到n*k个关键元器件贮存退化数据，根据各底层关键元器件输出特性的退化失效阈值，计算n*k个关键元器件的退化失效伪寿命Ll∈{L1,L2,…,Lk}，并对其进行分布拟合，得到继电器寿命分布的概率密度函数f(L)，分别计算得到t时刻的滚控电子模块每一位置对应关键元器件的贮存可靠度数据，得到一组底层关键元器件贮存可靠性数据；步骤七：根据滚控电子模块的功能原理及结构特点，建立滚控电子模块可靠性框图；步骤八：将步骤六中所得到的一组底层关键元器件贮存可靠度数据带入步骤七中所建立的滚控电子模块可靠性框图中，得到滚控电子模块贮存可靠度。