[发明专利]一种具有变k埋层的高耐压低比导横向部分超结功率器件在审
| 申请号： | 201810727298.4 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN108807503A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 吴丽娟;吴怡清;朱琳;黄也;雷冰;张银艳 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410114 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及的高耐压低比导部分超结功率器件属于半导体功率器件技术领域。本发明是在常规部分超结结构中引入变k埋层，在开态时，部分超结提供电流的低阻通道，降低器件的比导通电阻；关态时，低k埋层可以提高器件的纵向电场从而提高器件的耐压。本发明从源到漏浓度增加的超结中的N条可以抑制超结的衬底辅助耗尽效应，实现超结层的电荷平衡。采用本发明可获得各种性能优良的具有变k埋层的高耐压低比导横向部分超结半导体功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 超结 埋层 半导体功率器件 功率器件 比导通电阻 超结结构 低阻通道 电荷平衡 耗尽效应 降低器件 浓度增加 纵向电场 超结层 衬底 关态 开态 耐压 引入 | ||
【主权项】：
1.高耐压低比导的变k埋层部分超结器件，其特征在于：其元胞结构包括P型衬底（1）、P型重掺杂区（21）、P型体区（22）、P型掺杂条（23）、第一N型重掺杂区（31）、第二N型重掺杂区（32）、N型掺杂区（33）、N型掺杂条（34）、栅氧化层（41）、SiO2埋层（42）、源极电极（51）、多晶硅（52）、漏极电极（53）、衬底电极（54）、低k埋层（61）；所述P型衬底（1）下表面设置有衬底电极（54）；所述P型衬底（1）上表面设置SiO2埋层（42）和低k埋层（61）；所述SiO2埋层（42）上表面设置P型体区（22）、N型掺杂条（34）和P型掺杂条（23）；所述P型体区（22）里面设置有P型重掺杂区（21）和第一N型重掺杂区（31）；所述P型体区（22）上表面设置有源极电极（51）和栅氧化层（41）；所述栅氧化层（41）上表面设置有多晶硅（52）；所述低k埋层（61）上表面设置有N型掺杂区（33）；所述N型掺杂区（33）里面设置有第二N型重掺杂区（32）；所述第二N型重掺杂区（32）上表面设置有漏极电极（53）。
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