[发明专利]用于离子注入后晶圆清洗的单片式清洗装置及方法

摘要

本发明提供一种用于离子注入后晶圆清洗的单片式清洗装置及方法，本发明在离子注入后对晶圆进行单片式清洗，可以避免在清洗过程中晶圆之间的影响，晶圆表面清洗更彻底；在对晶圆进行第一清洗的同时对晶圆的背面进行加热，可以减少第一清洗液的使用量，从而减少废液的产生，减轻对环境的污染，同时，第一清洗之前无需灰化，可以显著降低成本；第一清洗与第二清洗于不同的腔室中进行，有效改善晶圆表面的颗粒污染；可以去除离子注入产生的氧化物层，从而改善最终形成器件的电器特性。

主权项

1.一种用于离子注入后晶圆清洗的单片式清洗装置，其特征在于，所述单片式清洗装置包括：第一处理腔室、第一晶圆传送单元、第一晶圆翻转单元、第二晶圆传送单元及第二处理腔室；其中，所述第一处理腔室包括：第一腔室主体、第一晶圆承载台、加热装置及第一清洗液供给装置；其中，所述第一晶圆承载台位于所述第一腔室主体内，用于承载正面朝下放置的晶圆；所述加热装置位于所述第一腔室主体内，且位于所述第一晶圆承载台的上方，用于对所述晶圆的背面进行加热；所述第一清洗液供给装置用于向所述晶圆正面提供第一清洗液，所述第一清洗液包括硫酸与双氧水的混合液；所述第一清洗液供给装置包括：第一清洗液供给源、第一清洗液供给管路及第一清洗液喷嘴；所述第一清洗液供给管路一端延伸至所述第一晶圆承载台，另一端与所述第一清洗液供给源相连接；所述第一清洗液喷嘴设于所述第一晶圆承载台中并使其喷洗方向朝向所述正面朝下放置的晶圆的正面，且所述第一清洗液喷嘴与所述第一清洗液供给管路延伸至所述第一晶圆承载台下方的一端相连接；所述第一晶圆传送单元位于所述第一处理腔室的外侧，用于将第一清洗液清洗后的所述晶圆从所述第一处理腔室内传出；所述第一晶圆翻转单元位于所述第一晶圆传送单元与所述第二晶圆传送单元之间，用于将从所述第一处理腔室内传出的晶圆进行180°翻转至正面朝上；所述第二晶圆传送单元位于所述第一晶圆翻转单元与所述第二处理腔室之间，用于将翻转后的晶圆传送至所述第二处理腔室内；所述第二处理腔室包括：第二腔室主体、第二晶圆承载台及第二清洗液供给装置；其中，所述第二晶圆承载台位于所述第二腔室主体内，用于承载正面朝上放置的晶圆；所述第二清洗液供给装置用于向晶圆正面提供第二清洗液，所述第二清洗液包括氢氧化铵、双氧水及水的混合液；所述第二清洗液供给装置包括：第二清洗液供给源、第二清洗液供给管路及第二清洗液喷嘴；所述第二清洗液供给管路一端延伸至所述第二晶圆承载台的上方，另一端与所述第二清洗液供给源相连接；所述第二清洗液喷嘴位于所述第二晶圆承载台上方并使其喷洗方向朝向所述正面朝上放置的晶圆的正面，且所述第二清洗液喷嘴与所述第二清洗液供给管路延伸至所述第二晶圆承载台上方的一端相连接。