[发明专利]一种聚合物铁电随机存储器材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810729411.2 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110690220A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 沈洋;郭梦帆;马静;李明;林元华;南策文 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L27/11502 | 分类号： | H01L27/11502 |
| 代理公司： | 11245 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种聚合物铁电存储器及其制备方法。该方法包括：将P(VDF‑TrFE)薄膜与PTFE薄膜进行共同热压并退火而得。该铁电存储器具有良好的铁电性与柔性。该铁电存储器具有规则的形貌特征，可省去对铁电层的蚀刻或压印；该铁电存储器具有高存储密度，存储密度可达60GB/inch | ||
| 搜索关键词： | 铁电存储器 存储 蚀刻 退火 聚合物铁电 存储单元 热稳定性 柔性器件 形貌特征 存储器 热循环 铁电层 铁电性 边长 耐热 热压 压印 制备 薄膜 应用 疲劳 保留 | ||
【主权项】：
1.一种制备聚合物铁电存储器材料的方法，包括如下步骤：/n将P(VDF-TrFE)薄膜与PTFE薄膜进行共同热压并退火而得。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810729411.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
