[发明专利]用于SiC或GaNMOSFET晶体管的开关装置的短路保护电路及相关方法有效
| 申请号： | 201810729850.3 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109217857B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 菲萨·奥卡亚勒 | 申请（专利权）人： | 阿尔斯通运输科技公司 |
| 主分类号： | H03K17/0812 | 分类号： | H03K17/0812;H03K17/60;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 程钢 |
| 地址： | 法国圣旺*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率开关装置(10)，其包括至少一个能够由主电流(I；Ia，Ib，Ic)能够行进通过的SiC或GaN MOSFET型晶体管(12；12a，12b，12c)；所述开关装置(10)包括至少一个测量模块(14；14a，14b，14c)，所述至少一个测量模块被配置为从由所述晶体管(12；12a，12b，12c)产生的电磁场间接测量在所述晶体管(12；12a，12b，12c)的漏极与源极之间流动的主电流；以及至少一个保护电路(16；16a，16b，16c)，所述保护电路被配置为基于所述主电流(I；Ia，Ib，Ic)的时间导数的符号来检测短路。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 sic ganmosfet 晶体管 开关 装置 短路 保护 电路 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率开关装置(10)，包括至少一个能够由主电流(I；Ia，Ib，Ic)行进通过的SiC或GaN MOSFET型晶体管(12；12a，12b，12c)，其特征在于，所述开关装置(10)包括至少一个测量模块(14；14a，14b，14c)，所述至少一个测量模块被配置为从所述晶体管(12；12a，12b，12c)和至少一个保护电路(16；16a，16b，16c)产生的电磁场间接测量所述晶体管(12；12a，12b，12c)的主电流(I)，所述至少一个保护电路被配置为基于所述主电流(I；Ia，Ib，Ic)的时间漂移的符号来检测短路。
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