[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201810730032.5 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109119514B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;郭炳磊;王群;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/16;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。制备方法包括：采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述接触层为P型掺杂的氮化物；对所述接触层的表面进行电子辐照，增加所述接触层中的氮空位。本发明通过对接触层的表面进行电子辐照，改变接触层晶体的微观结构，影响接触层内缺陷的形态和数量，在不改变氮元素比例的情况下产生较多的氮空位，增加接触层中的氮空位，促进P型掺杂剂的并入，提高掺杂元素并入的有效性，改变由于重掺杂导致的高杂质状态，提高载流子的迁移率，改善电极与接触层的电学接触，降低串联电阻，提高整个发光二极管的光效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述接触层为P型掺杂的氮化物；对所述接触层的表面进行电子辐照，增加所述接触层中的氮空位。
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