[发明专利]非易失性存储器装置在审
| 申请号： | 201810730072.X | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110689913A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 朴起台;吴贤实 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30;G11C16/34 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 尹淑梅;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括以字线和位线布置的多个存储器单元；电压产生器，产生施加到字线之中的选择的字线的编程电压脉冲、施加到字线之中的与选择的字线相邻的第一未选择的字线的第一通过电压以及施加到字线之中的不与选择的字线相邻的第二未选择的字线的第二通过电压；以及控制逻辑，迭代地增大编程电压脉冲并且根据编程电压脉冲的增大的迭代来不同地增大第一通过电压和第二通过电压。 | ||
| 搜索关键词： | 字线 编程电压脉冲 非易失性存储器装置 施加 迭代 存储器单元阵列 存储器单元 电压产生器 控制逻辑 增大的 位线 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：/n存储器单元阵列，包括以字线和位线布置的多个存储器单元；/n电压产生器，被构造成产生施加到字线之中的选择的字线的编程电压脉冲、施加到字线之中的与选择的字线相邻的第一未选择的字线的第一通过电压以及施加到字线之中的不与选择的字线相邻的第二未选择的字线的第二通过电压；以及/n控制逻辑，被构造成迭代地增大编程电压脉冲的电平并且根据编程电压脉冲的增大的迭代来不同地增大第一通过电压和第二通过电压。/n
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