[发明专利]一种CVD金刚石沉积过程中的基体自洁方法

摘要

本发明公开了一种CVD金刚石沉积过程中的基体清洁方法，解决了现有技术中基体无法100％清洁，形核困难、形核密度低和成膜质量差的问题。本发明的基体自洁方法包括以下步骤：将基体与热丝排布于CVD真空沉积炉内，抽至极限真空，通入甲烷与氢气；点亮热丝，待热丝的电压提升至设定值后，观察热丝颜色及基体颜色变化；基体表面产生彩纹后，关闭甲烷，降低氢气流量，同时通入氩气；基体表面彩纹逐渐消失，基体颜色转变为亮红色，温度传感器显示基体温度在600‑900℃范围内时，关闭氩气，开始正常涂层作业。本方明方法科学，操作简单，能达到基体的自洁效果，提高形核率，提升成膜质量，并创造一个具有保护性的可控反应氛围。

主权项

1.一种CVD金刚石沉积过程中的基体自洁方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1.将基体与热丝排布于CVD真空沉积炉内，抽至极限真空，并保持一段时间；步骤2.向所述CVD真空沉积炉内通入甲烷与氢气；步骤3.点亮所述热丝，待所述热丝的电压提升至设定值后，观察热丝颜色及基体颜色变化；步骤4.基体表面产生彩纹后，关闭甲烷，降低氢气流量，同时通入氩气；步骤5.继续观察基体表面颜色，基体表面彩纹逐渐消失，基体颜色转变为亮红色，温度传感器显示基体温度在600‑900℃范围内时，关闭氩气，将氢气与甲烷流量及反应室压力调节至CVD金刚石涂层作业的设定值，开始正常涂层作业，基体自洁流程结束。