[发明专利]SOI基复合集成HBT和CMOS的外延结构及制备方法

摘要

本发明公开了SOI基复合集成HBT和CMOS的外延结构及制备方法，该外延结构由复合集成在同一SOI衬底上的GaAs基HBT和CMOS构成；SOI基HBT和CMOS结构区被InGaP腐蚀隔离层隔开；制备方法为：在SOI衬底基础上生长InGaAs缓冲层，再在InGaAs缓冲层上依次生长各层得到HBT，InGaP腐蚀隔离层在InGaAs高掺杂帽层上外延生长而成；CMOS由在InGaP腐蚀隔离层上依次外延生长而成；经过相应的外延和材料沉积工艺，可以达到单片复合集成SOI基HBT和CMOS器件的目的。本发明可用于5G通讯中将功放器件和模拟器件实现单芯片集成。

主权项

1.一种SOI基复合集成HBT和CMOS的外延结构，其特征在于，该外延结构由复合集成在同一SOI衬底上的GaAs基HBT和CMOS构成；所述HBT包括InGaAs缓冲层，所述InGaAs缓冲层生长在所述SOI衬底上，所述InGaAs缓冲层上依次生长有GaAs集电层、GaAs间隔层、GaAs基层、InGaAs异质层、GaAs次发射层、InGaP发射层和InGaAs高掺杂帽层；所述InGaAs高掺杂帽层上生长有用于隔开HBT和CMOS的InGaP腐蚀隔离层；所述CMOS包括SiO2层，所述SiO2层生长在所述InGaP腐蚀隔离层上，所述SiO2层上沉积有硅栅层。