[发明专利]一种CVD金刚石涂层晶粒纳米化的方法

摘要

本发明公开了一种CVD金刚石涂层晶粒纳米化的方法，解决了现有技术中金刚石颗粒粒径只能达到微米级别，抛光困难，抛光成品率低的问题。本发明的方法包括以下步骤：预处理硬质合金拉丝模基体后，将其与热丝排布于CVD真空沉积炉内，抽至极限真空；通入氢气与甲烷；点亮热丝，使热丝的电压提升至设定值；降低氢气流量，提高甲烷流量，反应一段时间；继续降低氢气流量，提高甲烷流量，反应一段时间；再次降低氢气流量，提高甲烷流量，并通入氩气，提高热丝电压，反应一段时间；降低氢气流量，提高甲烷和氩气的流量，反应一段时间；关闭电源和气源，抽至极限真空度后，关闭反应室阀门，自然冷却。本发明能使表面金刚石晶粒呈现纳米级别。

主权项

1.一种CVD金刚石涂层晶粒纳米化的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1.预处理硬质合金拉丝模基体；步骤2.将所述拉丝模基体与热丝排布于CVD真空沉积炉内，抽至极限真空，并保持一段时间；步骤3.第一步反应：向所述CVD真空沉积炉内中通入氢气与甲烷，并调整反应室的压力；点亮所述热丝，使所述热丝的电压提升至设定值，从而使热丝在高温下快速炭化，达到稳定的直线度；步骤4.第二步反应：降低氢气流量，提高甲烷流量，并调整反应室的压力，反应一段时间；步骤5.第三步反应：继续降低氢气流量，提高甲烷流量，并调整反应室的压力，反应一段时间；步骤6.第四步反应：再次降低氢气流量，提高甲烷流量，并通入氩气，调整反应室的压力，提高所述热丝电压，反应一段时间；步骤7.第五步反应：降低氢气流量，提高甲烷和氩气的流量，调整反应室的压力，反应一段时间；步骤8.第五步反应结束后关闭电源和气源，将反应室抽至极限真空度后，关闭反应室阀门，待模具自然冷却后，取出模具进行检测。