[发明专利]氮化镓基石墨烯TES超导器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201810733469.4 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN108899410A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 胡海涛 | 申请（专利权）人： | 江苏心磁超导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L39/12 | 分类号： | H01L39/12;H01L39/24;G01J5/20 |
| 代理公司： | 石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基石墨烯TES超导器件及其制作方法，涉及太赫兹器件技术领域。所述TES器件采用在氮化镓衬底层上转移一层CVD生长的单层石墨烯作为热沉基板，在石墨烯上制作超导薄膜，实现对太赫兹波的探测。所述器件的制作工艺简单，与现有TES器件工艺兼容；采用氮化镓作为衬底，其散热系数优于原来的硅基方案；采用CVD生长的二维高散热率石墨烯材料作为声子耦合材料，热耦合系数更高，因此所述TES器件的有效恢复时间更短，响应速率更高。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 超导器件 氮化镓基 氮化镓 制作 器件技术领域 单层石墨烯 石墨烯材料 超导薄膜 器件工艺 热沉基板 散热系数 声子耦合 太赫兹波 制作工艺 衬底层 高散热 热耦合 衬底 二维 硅基 兼容 探测 响应 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基石墨烯TES超导器件，其特征在于：包括氮化镓衬底层（1），所述氮化镓衬底层（1）的上侧设置有石墨烯层（2），所述石墨烯层（2）的上侧设置有超导薄膜层（3）。
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