[发明专利]差分电容阵列及其开关切换方法有效

专利信息
申请号: 201810733475.X 申请日: 2018-07-06
公开(公告)号: CN109039338B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 虞致国;张存德;顾晓峰;魏敬和 申请(专利权)人: 江南大学
主分类号: H03M1/46 分类号: H03M1/46
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 曹祖良;屠志力
地址: 214122 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种应用于电荷型SAR ADC的差分电容阵列及其开关切换方法。该差分电容阵列包括P端电容阵列、N端电容阵列、第一开关阵列、第二开关阵列和参考电压端;第一开关阵列分别电连接参考电压端和P端电容阵列的下极板;第二开关阵列分别电连接参考电压端和N端电容阵列的下极板;P端电容阵列和N端电容阵列的上极板分别通过开关连接正相输入VIP和反相输入VIN。电容阵列开关切换方法采用三种参考电压VREF、VCMH和VCML,并结合一种新型的高效开关时序,该时序基于多参考电压技术以及单边切换技术,可极大地降低所述差分电容阵列的功耗和面积,同时显著减少在SAR ADC转换过程中最高位的建立时间,具有高速、低功耗的特点。
搜索关键词: 电容 阵列 及其 开关 切换 方法
【主权项】:
1.一种应用于电荷型SAR ADC的差分电容阵列,其特征在于:包括P端电容阵列、N端电容阵列、第一开关阵列、第二开关阵列、第一输入开关K1、第二输入开关K2和参考电压端;所述第一开关阵列中每个切换开关分别连接所述参考电压端和P端电容阵列中相应电容的下极板;P端电容阵列中所有电容的上极板相连接,并通过第一输入开关K1接正相输入VIP;所述第二开关阵列中每个切换开关分别连接所述参考电压端和N端电容阵列中相应电容的下极板;N端电容阵列中所有电容的上极板相连接,并通过第二输入开关K2接反相输入VIN。
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