[发明专利]一种硅基半导体-金属纳米复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810733529.2 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN108895690B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 徐骏;侯国智;吴仰晴;宋小瑛;刘剑;刘婧婧 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | F24S70/10 | 分类号： | F24S70/10;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人： | 李培 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基半导体‑金属纳米复合材料，自外而内依次包括高温保护层、等离激元吸收层以及有序硅纳米柱阵列陷光层；所述高温保护层为氧化铝；所述等离激元吸收层为金纳米颗粒。本发明根据具有陷光特性的周期性硅纳米阵列结构，将金属溅射在上面可以拓宽硅的光吸收波段，从之前截止的1100nm拓宽到了全光谱，同时周期性纳米结构的光共振耦合吸收类光子晶体，使其吸收增强。 | ||
| 搜索关键词： | 金属纳米复合材料 高温保护层 硅基半导体 等离激元 吸收层 周期性纳米结构 硅纳米柱阵列 金纳米颗粒 共振耦合 光子晶体 金属溅射 阵列结构 光吸收 硅纳米 全光谱 陷光层 氧化铝 波段 陷光 吸收 制备 截止 | ||
【主权项】：
1.一种硅基半导体‑金属纳米复合材料的制备方法，其特征在于包含以下几个步骤：1）清洗干净的p‑Si单晶硅作为衬底；2）利用PS小球水中自组装特性，在水中得到单层密排PS小球，通过提拉法在衬底片上覆盖一层密堆积PS小球作为掩膜板；3）将样品放入等离子体刻蚀机腔室，利用ICP氧气环境刻蚀PS小球；4）在样品表面磁控溅射金薄膜；5）将样品置于甲苯中超声去除PS球，获得金网络阵列结构；6）在室温下将样品放入HF与H2O2混合溶液中刻蚀硅纳米线；7）在样品表面磁控溅射金纳米颗粒；8）在样品表面原子层沉积Al2O3薄膜。
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