[发明专利]一种单腔体结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置有效
| 申请号： | 201810734423.4 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN108923254B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 贾钊;赵炆兼;马祥柱;张国庆;陈凯轩 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 225101 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单腔体结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置，包括：衬底；形成于衬底一表面的LED发光外延层，LED发光外延层上形成有一贯窗口区；形成于LED发光外延层的表面的水平光栅，及形成于LED发光外延层位于窗口区处的侧壁上的垂直光栅；形成于窗口区内的DBR层；以及，形成于衬底背离LED发光外延层一侧的背面电极，及形成于LED发光外延层背离衬底一侧的正面电极。水平光栅将LED发光外延层的表面出光集中引导至垂直光栅处后，再与垂直光栅处的出光共同引导至DBR层形成的光学谐振腔后出射，由于LED发光外延层的内量子效率较高，因此能够使得单腔体结构VCSEL芯片的单束激光功率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单腔体 结构 vcsel 芯片 及其 制作方法 激光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种单腔体结构VCSEL芯片，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底一表面的LED发光外延层，所述LED发光外延层上形成有一在垂直所述衬底的表面方向上贯通所述LED发光外延层的窗口区；形成于所述LED发光外延层的表面的水平光栅，及形成于所述LED发光外延层位于所述窗口区处的侧壁上的垂直光栅，所述水平光栅的狭缝沿所述LED发光外延层的边缘向所述窗口区方向延伸，且所述垂直光栅的狭缝沿所述窗口区的顶部至其底部的方向延伸；形成于所述窗口区内的DBR层；以及，形成于所述衬底背离所述LED发光外延层一侧的背面电极，及形成于所述LED发光外延层背离所述衬底一侧的正面电极。
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