[发明专利]一种晶体硅光伏电池组件黑片缺陷失效分析方法在审
申请号: | 201810734803.8 | 申请日: | 2018-07-06 |
公开(公告)号: | CN109150106A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 刘伟 | 申请(专利权)人: | 一零零二信息科技(沧州)有限责任公司 |
主分类号: | H02S50/15 | 分类号: | H02S50/15 |
代理公司: | 北京华旭智信知识产权代理事务所(普通合伙) 11583 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 061001 河北省沧州市*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供了一种晶体硅光伏电池组件黑片缺陷失效分析方法,包括:步骤1:进行I‑V测试;步骤二,采用电致发光(electroluminescent,EL)测试软件进行EL测试,对晶体硅光伏组件通1‑40mA电流,并采用600W像素的EL相机拍摄组件;步骤三,进行红外线(IR)测试,对晶体硅光伏电池组件通不同的电流,并记录其温度;步骤四,进行反向偏压致发光(ReBEL)测试,对晶体硅光伏电池组件施加一定的反向电压,采用600W像素的EL相机拍摄组件;步骤五,进行显微成像测试,分别进行500倍和3000倍显微成像测试;步骤六,进行能量色散X射线(EDX)测试;步骤七,根据步骤一到步骤六的检测结果对缺陷黑片进行分类;步骤八,对于步骤七确定的缺陷黑片分类分别进行成因确定。 | ||
搜索关键词: | 测试 光伏电池组件 晶体硅 失效分析 显微成像 相机拍摄 像素 晶体硅光伏组件 测试软件 电致发光 反向电压 反向偏压 检测结果 能量色散 红外线 分类 发光 施加 记录 | ||
【主权项】:
1.一种晶体硅光伏电池组件黑片缺陷失效分析方法,其特征在于包括如下步骤:步骤1:进行I‑V测试,使用标准晶体硅光伏电池的短路电流或者标准晶体硅光伏电池组件的短路电流将Berger脉冲太阳模拟器输出的辐照度标定为标准辐照度,晶体硅光伏电池组件测试系统将这个标定值通过晶体硅光伏电池组件测试系统自身安装的参考太阳电池输出的短路电流作为标准记录并保存,后续测量中,如果Berger脉冲太阳模拟器输出的辐照度发生变化,晶体硅光伏电池组件测试系统的中心控制器依据保存的作为标准辐照度的参考晶体硅光伏电池的短路电流自动修正这个波动;步骤二,采用电致发光(electroluminescent,EL)测试软件进行EL测试,测试过程中对晶体硅光伏组件通1‑40mA电流,使得电流通过晶体硅光伏组件或使得晶体硅光伏组件处于强电场下,并采用600W像素的EL相机拍摄组件,步骤三,进行红外线(IR)测试,测试过程中对晶体硅光伏电池组件通不同的电流,并记录晶体硅光伏电池组件的温度;步骤四,进行反向偏压致发光(ReBEL)测试,测试过程中对晶体硅光伏电池组件施加一定的反向电压,采用600W像素的EL相机拍摄组件;步骤五,进行显微成像测试,分别进行500倍和3000倍显微成像测试;步骤六,进行能量色散X射线(EDX)测试;步骤七,根据步骤一到步骤六的检测结果对缺陷黑片进行分类;步骤八,对于步骤七确定的缺陷黑片分类分别进行成因确定。
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