[发明专利]用于真空灭弧室的高强韧性和高绝缘强度的陶瓷制备工艺有效
| 申请号： | 201810735725.3 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN108585909B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 陈益飞;常玉斌 | 申请（专利权）人： | 七七七电气科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/584;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/645 |
| 代理公司： | 温州市品创专利商标代理事务所(普通合伙) 33247 | 代理人： | 程春生 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市乐清市翁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于真空灭弧室的高强韧性和高绝缘强度的陶瓷制备工艺，陶瓷制备工艺包括如下步骤：提供氮化硅粉体以及氮化硼粉体，其中，以重量份计，氮化硅粉体占70‑100份，氮化硼粉体占70‑100份；将氮化硅粉体以及氮化硼粉体混合并进行第一球磨，得到SiBN粉末；提供短切碳纤维以及碳酸钙晶须；将SiBN粉末、短切碳纤维以及碳酸钙晶须混合并进行第二球磨，得到改性SiBN粉末；对改性SiBN粉末进行第一热处理，得到第二改性SiBN粉末；对第二改性SiBN粉末进行第一急冷处理，得到第三改性SiBN粉末；对第三改性SiBN粉末进行真空热压烧结，得到陶瓷块；对陶瓷块进行第二急冷处理，得到高强韧性和高绝缘强度的陶瓷块。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 真空 灭弧室 高强 韧性 绝缘 强度 陶瓷 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种用于真空灭弧室的高强韧性和高绝缘强度的陶瓷制备工艺，其特征在于，所述陶瓷制备工艺包括如下步骤：提供氮化硅粉体以及氮化硼粉体，其中，以重量份计，所述氮化硅粉体占70‑100份，所述氮化硼粉体占70‑100份；将所述氮化硅粉体以及氮化硼粉体混合并进行第一球磨，得到SiBN粉末；提供短切碳纤维以及碳酸钙晶须；将所述SiBN粉末、短切碳纤维以及碳酸钙晶须混合并进行第二球磨，得到改性SiBN粉末；对所述改性SiBN粉末进行第一热处理，得到第二改性SiBN粉末；对所述第二改性SiBN粉末进行第一急冷处理，得到第三改性SiBN粉末；对所述第三改性SiBN粉末进行真空热压烧结，得到陶瓷块；对所述陶瓷块进行第二急冷处理，得到高强韧性和高绝缘强度的陶瓷块。
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