[发明专利]一种利用离子注入制备掺杂石墨烯的方法在审
| 申请号： | 201810736450.5 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN108862252A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 张苗;高敏;韩晓雯;贾鹏飞;薛忠营;狄增峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186;C01B32/194 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种利用离子注入制备掺杂石墨烯的方法，所述方法包括，提供一衬底，于所述衬底上使用CVD工艺进行石墨烯生长，形成石墨烯层；于所述石墨烯层上形成一保护层，所述保护层完全覆盖所述石墨烯层；使用离子注入技术通过所述保护层向所述石墨烯层中注入掺杂元素；除去所述保护层，裸露出所述石墨烯层；使用CVD工艺对裸露出的所述石墨烯层进行石墨烯修复生长，以修复所述石墨烯中由于离子注入引起的缺陷，进而形成掺杂石墨烯层。利用本发明的技术方案，可制备可控掺杂量的n型或p型的高质量石墨烯，可通过控制注入区域，制备图案化掺杂的石墨烯；本发明的技术方案可适用于使用CVD工艺在衬底X上生长的石墨烯的掺杂，应用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 石墨烯层 保护层 制备 掺杂 衬底 离子 生长 离子注入技术 图案化掺杂 应用范围广 修复 掺杂元素 注入区域 掺杂量 可控 | ||
【主权项】：
1.一种利用离子注入制备掺杂石墨烯的方法，其特征在于，所述方法包括：S10、提供一衬底，于所述衬底上使用CVD工艺进行石墨烯生长，形成石墨烯层；S20、于所述石墨烯层上形成一保护层，所述保护层完全覆盖所述石墨烯层；S30、使用离子注入技术从所述保护层的上表面向所述石墨烯层中注入掺杂元素；S40、除去所述保护层，裸露出所述石墨烯层；S50、使用CVD工艺对裸露出的所述石墨烯层进行石墨烯修复生长，以修复所述石墨烯层中由于离子注入引起的晶格损伤，使掺杂原子移动到晶格点，将掺杂原子激活，进而形成掺杂石墨烯层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院大学，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810736450.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
