[发明专利]一种生长大尺寸高质量LBO晶体的特殊工艺方法在审
| 申请号： | 201810737775.5 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN108774748A | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;王昌运;谢发利;张星;陈秋华 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/10 | 分类号： | C30B29/10;C30B9/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350003 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种生长LBO(LiB3O5，三硼酸锂)晶体的新工艺技术。尤其是能够生长大尺寸高质量LBO单晶的技术。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 三硼酸锂 晶体的 新工艺 单晶 | ||
【主权项】：
1.一种生长大尺寸高质量LBO晶体的特殊工艺方法，用B2O3和LiF作助熔剂,加入量为40‑60 mol%，降温速度为0.5‑1℃/天，其特征是在晶体生长过程中，发热元件是交替循环加热。
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