[发明专利]一种顺序进入和退出低功耗状态的SRAM控制电路及方法有效
| 申请号： | 201810737974.6 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN108962311B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 王旭;梁誉文 | 申请（专利权）人： | 孤山电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 刘翔 |
| 地址： | 201108 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种顺序进入和退出低功耗状态的SRAM控制电路及其方法，所述电路包括：轻度睡眠外设、深度睡眠外设以及静态存储阵列分别分为若干部分；第一控制模块，用于在经由轻度睡眠控制信号LS生成的第一控制信号Ctrl0的控制下经由多个延时单元生成多个延时信号去控制所述轻度睡眠外设的各部分；第二控制模块，用于在经由深度度睡眠控制信号DS和关闭控制信号SD生成的第二控制信号Ctrl1的控制下经由多个延时单元生成多个延时信号去控制深度睡眠外设的各部分；第三控制模块，用于在经由关闭控制信号SD生成的第三控制信号Ctrl2的控制下生成多个延时信号去控制静态存储阵列的各部分。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 顺序 进入 退出 功耗 状态 sram 控制电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种顺序进入和退出低功耗状态的SRAM控制电路，包括：轻度睡眠外设，用于控制静态存储阵列进入或退出轻度睡眠模式，所述轻度睡眠外设分为若干部分；深度睡眠外设，用于控制静态存储阵列进入或退出深度睡眠和关闭模式，所述深度睡眠外设分为若干部分；静态存储阵列，为一M×N的静态存储器阵列，用于存储信息并能在各外设电路的控制下进入或退出轻度睡眠、深度睡眠和关闭模式，所述静态存储阵列分为若干部分；第一控制模块，用于在经由轻度睡眠控制信号LS生成的第一控制信号Ctrl0的控制下经由多个延时单元生成多个延时信号去控制所述轻度睡眠外设的各部分；第二控制模块，用于在经由深度度睡眠控制信号DS和关闭控制信号SD生成的第二控制信号Ctrl1的控制下经由多个延时单元生成多个延时信号去控制深度睡眠外设的各部分；第三控制模块，用于在经由关闭控制信号SD生成的第三控制信号Ctrl2的控制下生成多个延时信号去控制静态存储阵列的各部分。
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