[发明专利]基于MEMS工艺的漏电流传感芯片有效
| 申请号： | 201810739953.8 | 申请日： | 2018-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN108918950B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 陈全 | 申请（专利权）人： | 浙江巨磁智能技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01R31/52 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 程开生 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市昌盛*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于MEMS工艺的漏电流传感芯片，包括感应线圈、环状磁芯和缠绕于所述环状磁芯的环状线圈。所述环状磁芯的内部贯穿有第一导线和第二导线，所述第一导线和第二导线的电流方向相反。各个感应线圈靠近环状磁芯并且均位于环状磁芯的一侧，各个铁芯靠近环状磁芯并且均位于环状磁芯的另一侧，使得感应线圈内部由感应产生的感应数据符合被进一步处理的需要。本发明公开的基于MEMS工艺的漏电流传感芯片，将漏电流传感器升级为漏电流传感芯片，显著地缩小尺寸和占用空间。同时，该漏电流传感芯片面向平面设计目标，适应芯片形态，从传统的立体构型升级为平面构型。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mems 工艺 漏电 流传 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种基于MEMS工艺的漏电流传感芯片，其特征在于，包括：环状磁芯和缠绕于所述环状磁芯的环状线圈；所述环状磁芯的内部贯穿有第一导线和第二导线，所述第一导线和第二导线的电流方向相反；至少一个感应线圈和至少一个铁芯，各个感应线圈靠近环状磁芯并且均位于环状磁芯的一侧，各个铁芯靠近环状磁芯并且均位于环状磁芯的另一侧。
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