[发明专利]一种晶硅太阳电池的热氧化方法

摘要

本发明涉及太阳电池领域，公开了一种晶硅太阳电池的热氧化方法，本发明方法对氮流量、氧流量、通气时间、压力和温度采用了特定的阶梯式控制，能够有效地在晶硅太阳电池表面生长一层均匀、高质量的SiO钝化膜，使硅片表面晶格缺陷和悬挂键缺陷能很好的修复，并能将硅片表面磷扩散曲线发生再分布作用，使磷原子化学浓度与有效磷原子浓度比值减小，提高少子寿命，从而来提高晶硅电池片的转换效率。

主权项

1.一种晶硅太阳电池的热氧化方法，其特征在于包括以下步骤：1）将扩散、刻蚀清洗后的硅片插入石英舟中，在氧化炉中升温至600‑800℃，以8‑12slm的流量通氮气8‑12min，使气压达到500‑700mbar；2）分别以1500‑2500sccm和300‑500sccm的流量通入氮气和氧气8‑12min，温度控制在600‑800℃，压力为500‑700mbar；3）控制氮气和氧气的流量分别为1000‑2000sccm和600‑800sccm，保持12‑18min，并升温至700‑900℃，压力为200‑400mbar；4）控制氮气和氧气的流量分别为500‑1500sccm和900‑1100sccm，保持20‑25min，温度控制在850‑1000℃，压力为50‑150mbar；5）控制氮气和氧气的流量分别为1000‑2000sccm和600‑800sccm，保持12‑18min，温度控制在700‑900℃，压力为200‑400mbar；6）控制氮气和氧气的流量分别为1500‑2500sccm和300‑500sccm，保持8‑12min，温度控制在600‑800℃，压力为500‑700mbar；7）降温至550‑650℃出炉，降温时间8‑12min，以8‑12slm的流量通入氮气6‑10min，使气压达到1000‑1100mbar，并测试方阻，方阻控制在90±10欧姆。