[发明专利]SOI基LSAMBM雪崩光电二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种SOI基LSAMBM（横向吸收区‑多缓冲区‑倍增区分离）雪崩光电二极管及其制备方法，其中雪崩光电二极管包括SOI基片、SiO2氧化层以及电极A、K，SiO2氧化层设于SOI基片的表面，P‑型硅薄膜的一侧设有P+区，另一侧设有依次相邻布置的缓冲区、P倍增区以及N+区，P+区和缓冲区之间间隙中保留的P‑区构成吸收区，缓冲区包括掺杂浓度呈阶梯分布的至少两个缓冲层，电极A贯穿SiO2氧化层后与N+区接触导通，电极K贯穿SiO2氧化层后与P+区接触导通。本发明能够大大降低暗电流，有效解决受光面积与结电容之间的矛盾，减少寄生电容，提高频率响应，不存在边缘电场，可忽略曲率效应，降低倍增噪声，提高吸收区的电场强度，降低反向电场强度，有效解决雪崩电压、响应度和频率响应之间的矛盾。

主权项

1.一种SOI基LSAMBM雪崩光电二极管，其特征在于：包括SOI基片、SiO2氧化层以及电极A、K，所述SiO2氧化层设于SOI基片的表面，所述SOI基片包括依次层叠布置的P‑型衬底、SiO2层和P‑型硅薄膜，所述P‑型硅薄膜的一侧设有P+区，另一侧设有依次相邻布置的缓冲区、P倍增区以及N+区，所述P+区和缓冲区之间间隙中保留的P‑区构成吸收区，所述缓冲区包括掺杂浓度呈阶梯分布的至少两个缓冲层，所述电极A贯穿SiO2氧化层后与N+区接触导通，所述电极K贯穿SiO2氧化层后与P+区接触导通。