[发明专利]铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201810742484.5 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN109148625A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李冬梅;闵雪;石将建;吴会觉;罗艳红;孟庆波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅;赵岩 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池及其制备方法。所述铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池，包括Mo玻璃基底以及依次沉积在所述Mo玻璃基底上的铜锌锡硫硒膜层、CdS缓冲层、ZnO窗口层、ITO透明电极层和Ag栅电极。其中，CZTSSe薄膜是由CZTS前驱膜经硒化处理获得的。本发明采用超声喷雾法制备CZTS前驱膜，与目前普遍采用的旋涂法制备的CZTSSe薄膜太阳能电池相比，对薄膜厚度、均匀性、结晶性的调控更加精确，有利于降低复合、提升电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜太阳能电池 铜锌锡硫硒 玻璃基 前驱膜 制备 薄膜 超声喷雾 硒化处理 转换效率 窗口层 缓冲层 结晶性 均匀性 栅电极 膜层 旋涂 沉积 电池 复合 调控 | ||
【主权项】：
1.一种铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池，包括Mo玻璃基底以及依次沉积在所述Mo玻璃基底上的铜锌锡硫硒膜层、CdS缓冲层、ZnO窗口层、ITO透明电极层和Ag栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
