[发明专利]一种氮化铝膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810744218.6 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN108950477A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 黄小辉;徐孝灵;郑远志;陈向东;康建 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34;C23C14/58;C23C16/34;C23C28/04;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 黄溪;臧建明 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化铝膜及其制备方法和应用，制备方法包括如下顺序的步骤：1)在衬底层上溅射出厚度为5～300nm的第一氮化铝层；2)控制生长设备的反应室温度为1400～1700℃，对所述第一氮化铝层进行高温退火处理，得到第一重排氮化铝层；其中，所述高温退火处理的时长为5～200min；3)控制所述反应室的温度降至1100～1350℃，通入三甲基铝和氨气，在所述第一重排氮化铝层上生成厚度为500～5000nm的第二氮化铝层；所述第一重排氮化铝层与所述第二氮化铝层的集合为所述氮化铝膜。该方法既能提高AlN薄膜晶体质量，又能减少AlN薄膜表面裂纹，从而有利于提升AlN器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化铝层 氮化铝膜 重排 制备方法和应用 高温退火 反应室 氨气 表面裂纹 三甲基铝 生长设备 衬底层 温度降 溅射 时长 制备 集合 | ||
【主权项】：
1.一种氮化铝膜的制备方法，其特征在于，包括如下顺序的步骤：1)在衬底层上溅射出厚度为5～300nm的第一氮化铝层；2)控制生长设备的反应室温度为1400～1700℃，对所述第一氮化铝层进行高温退火处理，得到第一重排氮化铝层；其中，所述高温退火处理的时长为5～200min；3)控制所述反应室的温度降至1100～1350℃，通入三甲基铝和氨气，在所述第一重排氮化铝层上生成厚度为500～5000nm的第二氮化铝层；所述第一重排氮化铝层与所述第二氮化铝层的集合为所述氮化铝膜。
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