[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201810744372.3 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN109860292A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 马克·范达尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/775;H01L21/336;H01L27/11;B82Y40/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造半导体装置的方法，包括在半导体基板上形成纳米线基础层。形成第一纳米线于纳米线基础层上。形成栅极结构于纳米线基础层上并缠绕第一纳米线。第二纳米线以由下而上的方式形成在第一纳米线上并与第一纳米线接触。形成源极/漏极区域于栅极结构上并缠绕第二纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线 基础层 半导体装置 栅极结构 缠绕 源极/漏极区域 半导体基板 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：形成一纳米线基础层于一半导体基板上；形成一第一纳米线于该纳米线基础层上；形成一栅极结构于该纳米线基础层上并缠绕该第一纳米线；以由下而上的方式生长一第二纳米线于该第一纳米线上并与该第一纳米线接触；以及形成一源极/漏极区域于该栅极结构上并缠绕该第二纳米线。
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