[发明专利]静电卡盘在审
| 申请号： | 201810744977.2 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN109256355A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 千东谦太;饭田英一;山田智広;西田吉辉;高桥宏行;藤谷凉子;横尾晋 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供静电卡盘，该静电卡盘抑制了在带与保持面之间产生气泡，防止带灼烧。静电卡盘(4)利用保持面(41)对在下表面粘贴有带(T)的晶片(W)进行保持，该静电卡盘(4)包含：多个细孔(40)，它们形成于保持面，与吸引源(43)连通；凹凸(D)，其形成在保持面上，与多个细孔连接；以及电极(44)，其配设在该静电卡盘(4)的内部。在使细孔与吸引源连通而对晶片进行吸引保持时，凹凸成为保持面上的吸引路。 | ||
| 搜索关键词： | 静电卡盘 细孔 吸引源 晶片 连通 表面粘贴 电极 灼烧 吸引 | ||
【主权项】：
1.一种静电卡盘，其具有保持面，该保持面与在一个面上粘贴有带的晶片的该带接触而保持晶片，其中，该带包含树脂基材和形成在该树脂基材的一个面上的糊层，该静电卡盘具有：多个细孔，它们形成于该保持面，与吸引源连通；多个凹凸，它们形成在该保持面上，与该细孔连接；以及电极，其配设在该静电卡盘的内部，在使该细孔与吸引源连通而对晶片进行吸引保持时，形成在该保持面上的该凹凸成为该保持面上的吸引路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
