[发明专利]一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201810748801.4 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN108807510B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;李茂林;施宜军;崔兴涛;信亚杰;李佳;刘超;周琦;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明公开了一种基于具有变铝组分势垒层(Al |
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| 搜索关键词： | 一种 逆阻型 氮化 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管，包括从下至上依次层叠设置的衬底(1)、GaN层(2)、AlGaN层(3)、钝化层(4)和绝缘介质层(5)；所述AlGaN层(3)的Al摩尔组分从AlGaN层(3)底部到顶部逐渐增大，AlGaN层(3)与GaN层(2)形成异质结；所述AlGaN层(3)上层两端分别具有源极结构和漏极结构，在源极结构和漏极结构之间的AlGaN层(3)上层具有栅极结构；所述栅极结构包括通过刻蚀部分AlGaN层(3)形成的第一凹槽(10)、绝缘栅介质(5)和金属栅电极(9)，第一凹槽(10)的底部与侧面覆盖绝缘介质层(5)，金属栅电极(9)填充在第一凹槽(10)中，且金属栅电极(9)和第一凹槽(10)之间通过绝缘栅介质(5)隔离，金属栅电极(9)沿器件上表面向两端延伸；所述源极结构为嵌入AlGaN层(3)上表面一端且形成欧姆接触的金属源电极(6)；所述漏极结构包括肖特基结构和金属‑绝缘层‑半导体结构；所述肖特基结构为在AlGaN层(3)上表面另一端形成肖特基接触的第一金属(7)；所述金属‑绝缘层‑半导体结构包括一个通过刻蚀部分AlGaN层(3)形成的第二凹槽(11)、绝缘介质(5)和第二金属(8)，第二凹槽(11)与第一金属(7)相邻，且绝缘介质(5)沿第二凹槽(11)侧面延伸至并覆盖第二凹槽(11)的底部，在第二凹槽(11)中填充第二金属(8)，第二金属(8)还沿器件上表面向靠近栅极结构的一侧延伸，且第一金属(7)与第二金属(8)之间进行电气连接，两电极之间保持相同电位。
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