[发明专利]基于场板结构的AlGaN或GaN紫外雪崩光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810749505.6 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN109004056A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 陈敦军;游海帆;谢自力 | 申请（专利权）人： | 南京南大光电工程研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0352;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210046 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于场板结构的AlGaN或GaN紫外雪崩光电探测器，包括一AlGaN或GaN APD器件，AlGaN或GaN APD器件的两侧形成角度在15°‑30°的斜坡，斜坡上设置有金属场板，所述场板覆盖结区，与p型电极相连，与n型电极不相连。还公开了其制备方法。本发明利用厚膜光刻胶回流的方法，在AlGaN APD器件上形成平缓的倾斜侧壁。利用倾斜侧壁，可以控制场板在侧壁上延伸的长度，既能实现对结区的覆盖，又不超过有效范围，进而发挥场板、绝缘层、半导体之间的MOS效应，扩展器件结区的耗尽区宽度，抑制器件结区的峰值电场。 | ||
| 搜索关键词： | 结区 紫外雪崩光电探测器 场板结构 倾斜侧壁 斜坡 场板 制备 绝缘层 厚膜光刻胶 峰值电场 金属场板 扩展器件 抑制器件 有效范围 耗尽区 控制场 侧壁 覆盖 半导体 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种基于场板结构的AlGaN或GaN紫外雪崩光电探测器，包括一AlGaN或GaN APD器件，其特征在于：AlGaN或GaN APD器件的两侧形成角度在15°‑30°的斜坡，斜坡上设置有金属场板，所述场板覆盖结区，与p型电极相连，与n型电极不相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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