[发明专利]用于LED制造的PVD缓冲层有效
| 申请号： | 201810749783.1 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN109119518B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 朱鸣伟;汪荣军;纳格·B·帕蒂班德拉;唐先明;维韦卡·阿格拉沃尔;成雄·马修·蔡;穆罕默德·拉希德;迪内希·塞加尔;普拉布兰姆·加帕伊·拉贾;奥姆卡尔姆·纳兰姆苏;阿纳塔·苏比玛尼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;H01L29/205;H01L21/02;C30B29/40;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述利用物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层来制造氮化镓基发光装置。亦描述用于PVD AlN缓冲层的工艺条件。亦描述用于PVD氮化铝缓冲层的基板预处理。在一实例中，制造缓冲层于基板上的方法包含预处理基板表面。所述方法亦包含随后利用氮基气体或等离子体从安置在物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材反应溅射氮化铝(AlN)层至基板表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 led 制造 pvd 缓冲 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包含：基板；氮化铝(AlN)缓冲层，置于所述基板上，所述AlN缓冲层具有粗糙度小于约1纳米均方根的原子级平滑表面和在(002)方向的结晶定向，其中(002)峰的FWHM小于约50弧秒；和预种晶层，所述预种晶层直接置于所述基板与所述AlN缓冲层之间，其中所述预种晶层包括选自由ZnO、ZnS和ZrN组成的群组的层。
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