[发明专利]一种半导体和二维材料的组合功率器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体和二维材料的组合功率器件及其制备方法，该组合功率器件包括设置在同一衬底上的异质结场效应晶体管和二维材料晶体管，其中衬底上设置有二维材料层以及依次设置于衬底的GaN层、AlGaN层，AlGaN层与二维材料层上的两端设置有欧姆接触电极、肖特基接触电极。该组合功率器件中的异质结场效应晶体管和二维材料晶体管设置于同一衬底上，即该组合功率器件不仅具有异质结场效应晶体管大击穿电场、高电子饱和速率、抗辐射能力强及良好的化学稳定性等特点，还具有二维材料晶体管的高能效、可运用于柔性屏，高分辨率液晶显示器和有机发光二极管显示器等领域的特点，因此本发明提供的组合功率器件具有更广的应用范围。

主权项

1.一种半导体和二维材料的组合功率器件，其特征在于，所述组合功率器件包括异质结场效应晶体管和二维材料晶体管，所述异质结场效应晶体管和所述二维材料晶体管具有同一衬底；所述异质结场效应晶体管中远离所述衬底的方向依次设置GaN层、AlGaN层；所述二维材料晶体管的衬底上设置有二维材料层；所述AlGaN层与所述二维材料层上的两端设置有欧姆接触电极，所述欧姆接触电极之间设置有肖特基接触电极。