[发明专利]一种单片集成半导体器件及其制备方法

摘要

本发明实施例公开了一种单片集成半导体器件及其制备方法，该器件包括：衬底；衬底包括第一区域和围绕第一区域的第二区域；设置于第一区域上的HEMT，HEMT包括沿远离衬底方向依次层叠设置的沟道层、空间层、势垒层及设置于势垒层上的源极和栅极；设置于第二区域上并围绕HEMT设置的LED，LED包括沿远离衬底方向依次层叠设置的n型层、有源层、p型层及设置于p型层上的p型电极；n型层的侧壁与沟道层的侧壁接触。本发明实施例提供的单片集成半导体器件，实现了电压控制LED，并通过设置LED围绕HEMT，增加了LED的n型层和HEMT的沟道层接触面积，提高了电子的注入，改善了电流的均匀性，有效提高了器件的电学性能。

主权项

1.一种单片集成半导体器件，其特征在于，包括：衬底；所述衬底包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；设置于所述衬底的所述第一区域上的高电子迁移率晶体管HEMT，所述HEMT包括沿远离所述衬底方向依次层叠设置的沟道层、空间层、势垒层以及设置于所述势垒层上的源极和栅极；设置于所述衬底的所述第二区域上并围绕所述HEMT设置的发光二极管LED，所述LED包括沿远离所述衬底方向依次层叠设置的n型层、有源层、p型层以及设置于所述p型层上的p型电极；其中，所述n型层的侧壁与所述沟道层的侧壁接触。