[发明专利]一种通过重复利用黑硅清洗液对硅片进行制绒的方法有效
| 申请号： | 201810750853.5 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110707001B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 赵燕;刘尧平;王燕;杜小龙;朱姚培;唐磊;蒋健;王磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306;H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过重复利用黑硅清洗液对硅片进行制绒的方法，包括：(1)将硅片浸入包含0.01‑200mmol/L的金属离子盐、1‑10mol/L的氢氟酸和0.1‑10mol/L的黑硅制绒液中进行制绒；(2)用去离子水清洗制绒后的硅片，吹干；(3)采用20‑80wt％的硝酸溶液清洗步骤(2)中得到的吹干后的硅片以去除沉积在硅片表面上的金属颗粒；(4)用去离子水清洗黑硅清洗液清洗后的硅片，吹干，制得具有绒面结构的硅片；和(5)重复步骤(1)至(4)，直至黑硅清洗液达到使用寿命，以达到使用寿命的黑硅清洗液为原料配制黑硅制绒液。本发明方法可以简单、有效地实现黑硅清洗液特别是其中的金属离子的重复利用，降低了制绒成本和废水处理成本，绿色环保。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 重复 利用 清洗 硅片 进行 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过重复利用黑硅清洗液对硅片进行制绒的方法，所述方法包括以下步骤：/n(1)将硅片浸入黑硅制绒液中进行制绒；其中，所述黑硅制绒液包含0.01-200mmol/L的金属离子盐、1-10mol/L的氢氟酸和0.1-10mol/L的硝酸；/n(2)用去离子水清洗所述步骤(1)中制得的制绒后的硅片，吹干；/n(3)采用黑硅清洗液清洗所述步骤(2)中得到的吹干后的硅片以去除沉积在硅片表面上的金属颗粒；其中，所述黑硅清洗液是浓度为20-80wt％的硝酸溶液；/n(4)用去离子水清洗所述步骤(3)中得到的黑硅清洗液清洗后的硅片，吹干，制得具有绒面结构的硅片；和/n(5)重复步骤(1)至(4)，直至黑硅清洗液达到使用寿命，以达到使用寿命的黑硅清洗液为原料配制所述步骤(1)中所述的黑硅制绒液。/n
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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