[发明专利]一种多晶氮化铟的制备方法在审
| 申请号： | 201810751031.9 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN109056070A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 彭洪;冯星灿;王立 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B28/14 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶氮化铟的制备方法，包括：非晶衬底表面清洗；将清洗干净的非晶衬底放入等离子体原子层沉积系统中；在真空条件下，含铟化合物和氮等离子在等离子体原子层沉积系统中进行反应，在非晶衬底表面制备多晶氮化铟。其在密闭的等离子体原子层沉积系统中，通过调节等离子体功率、反应温度、反应时间等参数制备氮化铟薄膜，制备的过程中，反应所需要的温度较低，原料来源广泛，操作简单。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 等离子体原子层沉积 氮化铟 多晶 非晶 衬底表面 清洗 等离子体功率 氮化铟薄膜 氮等离子 真空条件 铟化合物 密闭 衬底 放入 | ||
【主权项】：
1.一种多晶氮化铟的制备方法，其特征在于，所述制备方法中包括：非晶衬底表面清洗；将清洗干净的非晶衬底放入等离子体原子层沉积系统中；在真空条件下，含铟化合物和氮等离子在等离子体原子层沉积系统中进行反应，在非晶衬底表面制备多晶氮化铟。
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