[发明专利]一种单面出光的LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810751731.8 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN108933189A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王良臣;刘召忠;蓝文新;林辉 | 申请（专利权）人： | 江西新正耀光学研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 341700 江西省赣州*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单面出光的LED芯片及其制备方法。该单面出光的LED芯片包括：LED芯片本体和介质高反射膜；LED芯片本体，包括：衬底层、外延层、N电极和P电极，其中，LED芯片本体具有相对设置的衬底面和电极面，以及芯片本体的四个侧壁，衬底层的一个表面为衬底面，外延层位于衬底层的另一个表面，N电极和P电极位于外延层远离衬底层的一侧；介质高反射膜覆盖LED芯片本体的四个侧壁。通过本发明，实现了LED芯片的单面出光,同时提升了芯片的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底层 外延层 高反射膜 衬底面 侧壁 制备 出光效率 相对设置 芯片本体 电极面 芯片 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种单面出光的LED芯片，其特征在于，包括：LED芯片本体和介质高反射膜；所述LED芯片本体，包括：衬底层、外延层、N电极和P电极，其中，所述LED芯片本体具有相对设置的衬底面和电极面，以及所述LED芯片本体的四个侧壁，所述衬底层的一个表面为所述衬底面，所述外延层位于所述衬底层的另一个表面，所述N电极和所述P电极位于所述外延层远离所述衬底层的一侧；所述介质高反射膜覆盖所述LED芯片本体的四个侧壁。
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