[发明专利]基板处理装置、基板保持件以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201810751851.8 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN109256345B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 小杉哲也;村田等;野原慎吾;平野敦士 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 丁文蕴;李平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及基板处理装置、基板保持件以及半导体装置的制造方法，提供能够实现兼顾基板的面内温度偏差的减小和面内温度恢复时间的缩短的技术。一种基板处理装置，其具有保持多张基板及隔热板的基板保持件、收纳上述基板保持件的反应管、以及对保持于上述基板保持件的基板进行加热的加热部，其中，上述基板保持件构成为被划分成保持上述基板的基板处理区域和保持上述隔热板的隔热板区域，在上述隔热板区域的上层部保持反射率比保持于该上层部以外的隔热板区域的隔热板高的隔热板。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 保持 以及 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其具有：基板保持件，其保持多张基板及隔热板；反应管，其收纳上述基板保持件；以及加热部，其对保持于上述基板保持件的基板进行加热，上述基板处理装置的特征在于，上述基板保持件构成为被划分成保持上述基板的基板处理区域和保持上述隔热板的隔热板区域，在上述隔热板区域的上层部保持反射率比保持于该上层部以外的隔热板区域的隔热板高的隔热板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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