[发明专利]NMOS晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201810751963.3 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN108987278B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 黄炜;徐静静;刘星;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/266;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种NMOS晶体管及其形成方法，该NMOS晶体管的形成方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有栅极结构；以栅极结构为掩模，对半导体衬底进行轻掺杂离子注入，形成未激活的轻掺杂源/漏区，轻掺杂离子为n型；在栅极结构的两侧形成侧墙；以侧墙为掩模，对半导体衬底进行重掺杂离子注入，形成未激活的重掺杂源/漏区，重掺杂离子为n型，轻掺杂离子注入或重掺杂离子注入包括碳元素注入，未激活的轻掺杂源/漏区包裹未激活的重掺杂源/漏区；以及对半导体衬底进行热处理，以形成轻掺杂源/漏区和重掺杂源/漏区。其提高了同一片晶圆上的不同芯片的源漏击穿电压的均匀性，从而降低了NMOS晶体管的片间差异。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种NMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；以所述栅极结构为掩模，对所述半导体衬底进行轻掺杂离子注入，形成未激活的轻掺杂源/漏区，所述轻掺杂离子为n型；在所述栅极结构的两侧形成侧墙；以所述侧墙为掩模，对所述半导体衬底进行重掺杂离子注入，形成未激活的重掺杂源/漏区，所述重掺杂离子为n型，所述轻掺杂离子注入或所述重掺杂离子注入包括碳元素注入，所述未激活的轻掺杂源/漏区包裹所述未激活的重掺杂源/漏区；以及对所述半导体衬底进行热处理，以激活所述轻掺杂源漏区和所述重掺杂源漏区，以形成轻掺杂源/漏区和重掺杂源/漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
