[发明专利]铁电存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810752120.5 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN109727982B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘香根 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B53/30 | 分类号： | H10B53/30;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铁电存储器件以及其制造方法。根据本公开的一个实施例的铁电存储器件包括：衬底；铁电材料层，其设置在衬底上；栅电极层，其设置在铁电材料层上；以及极化切换晶种层，其设置在铁电材料层与栅电极层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电存储器件，包括：衬底；铁电材料层，其设置在所述衬底上；栅电极层，其设置在所述铁电材料层上；以及极化切换晶种层，其设置在所述铁电材料层与所述栅电极层之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810752120.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：3D NAND存储器及其形成方法
- 下一篇：NOR闪存及其制造方法
