[发明专利]多孔型石墨烯/过渡金属硫属化合物薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201810752553.0 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN109036877B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 冯立纲;郁旭;裴晨刚 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/36 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红;刘海霞 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种多孔型石墨烯/过渡金属硫属化合物薄膜的制备方法。所述方法将赝电容材料过渡金属硫属化物分散液和石墨烯分散液混合，真空抽滤，得到含水量为10％～20％的薄膜，冷冻干燥后，置于300～800℃下煅烧，得到多孔型石墨烯/过渡金属硫属化合物薄膜。本发明利用单层或少层金属硫化物作为赝电容材料负载在石墨烯表层来修改石墨烯表面的电子结构和化学环境，采用真空抽滤和冷冻干燥相结合制备多孔型薄膜。本发明的薄膜具有稳定的孔隙结构及活性物质的高效利用率，展示出了较好的电化学稳定性，其倍率性能显著提高，扫速从10增加到200mV s |
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| 搜索关键词： | 多孔 石墨 过渡 金属 化合物 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.多孔型石墨烯/过渡金属硫属化合物薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：将过渡金属硫属化合物分散液与石墨烯分散液混合均匀，真空抽滤，得到含水量为10％～20％的薄膜，冷冻干燥后，置于300～800℃下煅烧，得到多孔型石墨烯/过渡金属硫属化合物薄膜。
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