[发明专利]DOE监控集成封装方法及模块有效
| 申请号： | 201810753627.2 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110703453B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 蒋建华 | 申请（专利权）人： | 深圳市安思疆科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B27/42 | 分类号： | G02B27/42 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 方艳平 |
| 地址： | 518129 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DOE监控集成封装方法及模块，该方法包括：在第一、二DOE基底的第一面上分别镀上第一、二金属电极和第一、二ITO层，将第一、二ITO层刻蚀成预定的第一、二ITO图案，第一、二ITO图案中设有第一、二空白位置；在第一、二空白位置处对第一、二DOE基底进行刻蚀，形成用于衍射光的第一、二微结构；将第一、二DOE基底第一面相对设置进行组装，通过预定厚度的间隔件将第一、二DOE基底进行粘合；在第一、二金属电极所在的位置处进行截面切割，在该切割位置处的截面上镀上连接金属以将第一、二金属电极按照预设的连接关系连接起来，形成DOE监控集成封装模块。本发明提出的DOE监控集成封装方法及模块，使得工艺制程大大地简化，制造成本更低。 | ||
| 搜索关键词： | doe 监控 集成 封装 方法 模块 | ||
【主权项】：
1.一种DOE监控集成封装方法，其特征在于，包括以下步骤：/nA1：在第一DOE基底的第一面上分别镀上第一金属电极和第一ITO层，将所述第一ITO层刻蚀成预定的第一ITO图案，其中所述第一金属电极镀在所述第一ITO图案的两端头位置处，且所述第一ITO图案中设有第一空白位置，在所述第一空白位置处露出所述第一DOE基底；/nA2：在所述第一空白位置处对所述第一DOE基底进行刻蚀，形成用于衍射光的第一微结构；/nA3：在第二DOE基底的第一面上分别镀上第二金属电极和第二ITO层，将所述第二ITO层刻蚀成预定的第二ITO图案，其中所述第二金属电极镀在所述第二ITO图案的两端头位置处，且所述第二ITO图案中设有第二空白位置，在所述第二空白位置处露出所述第二DOE基底；/nA4：在所述第二空白位置处对所述第二DOE基底进行刻蚀，形成用于衍射光的第二微结构；/nA5：将所述第一DOE基底的第一面与所述第二DOE基底的第一面相对设置进行组装，通过预定厚度的间隔件将所述第一DOE基底与所述第二DOE基底进行粘合；/nA6：在所述第一金属电极和所述第二金属电极所在的位置处进行截面切割，在该切割的位置处的截面上镀上连接金属以将所述第一金属电极和所述第二金属电极按照预设的连接关系连接起来，形成DOE监控集成封装模块。/n
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